Oryginały masek są wykonywane przez równoczesne zmniejszenie i precyzyjne rozmieszczenie obrazu pojedynczej struktury na płycie światłoczułej. Operację tę wykonuje się w urządzeniu zwanym kamerą powielająco-redukcyjną. Obraz negatywu piośredniego jest rzutowany przez układ optyczny na płytę światłoczułą, leżącą na przesuwającym się stole. Naświetlanie następuje w ściśle określonych miejscach, dzięki automatycznemu układowi pomiaru położenia stołu i sterowania źródła światła. Stół może. się przesuwać wzdłuż prostopadłych prowadnic, w czasie ruchu wzdłuż jednej z nich następuje naświetlanie rzędu struktur, następnie przesunięcie wzdłuż drugiej, naświetlenie kolejnego rzędu itd. Obiektywem stosowanym w kamerach powielających stawia się wiele trudnych do równoczesnego spełnienia wymagań, np. muszą się one charakteryzować maksymalną zdolnością rozdzielczą, dużym polem widzenia, minimalnymi zniekształceniami liniowymi. Obiektywy te są konstrukcjami specjalnymi, przy czym rezygnuje się z cech zbędnych w konkretnym zastosowaniu, np. korekcji aberacji chromatycznej. Korygowane są one dla linii X = 546 nm dla emulsji fotograficznych, dla polimerów światłoczułych dla linii g lub h. Jak wiadomo-, zdolność rozdzielcza obiektywu jest tym większa, im krótsza jest fala świetlna. Duża zdolność rozdzielcza jest uwarunkowana m. in. dużą aperturą, powodującą z kolei bardzo małą głębię ostrości. Małe głębie ostrości narzucają szczególne wymagania odnośnie do płas- kości płyt, a także powodują konieczność budowania sztywnych konstrukcji kamer oraz dokładnego prowadzenia poziomego stołu. W nowych konstrukcjach stosuje się automatyczne utrzymywanie ostrości, a także stosuje się specjalne, bardzo skuteczne systemy amortyzacji.
Przeczytaj także: Domieszkowanie
W punkcie tym będą omówione zagadnienia związane z dokładnością domieszkowania na drodze takiej implantacji, po której próbki krzemu są wygrzewane w temperaturach powyżej 900°C. Jedną z podstawowych zalet implantacji jako procesu domieszkowania jest łatwość maskowania obszarów, które nie mają być domieszkowane. Znajomość Rp i ARp umożliwia łatwe obliczenie grubości masek koniecznej do zatrzymania żądanego procentu jonów. Na ogół żąda się, aby procent przechodzących przez maskę jonów był mniejszy o kilka rzędów od implantowanej dawki. Przy tym założeniu maksymalna grubość stosowanych masek wynosi do 1 |xm dla energii jonów do 200 keV. Przy dużych dawkach występują zmiany struktury masek i mogą powstać trudności z ich usuwaniem. Metodę określania grubości masek opisano w pracy . Dane o Rp i ARP dla emulsji i innych materiałów masek zamieszczono w pracy oraz pracach , w których określono liczbę jonów przechodzących przez maski z różnych materiałów.
